Afkortingen; Richtlijnen En Normen - Zeiss Bsd4 Instructiehandleiding
Inhoudsopgave
UK=^ÑâçêíáåÖÉå
8. Afkortingen
BSD4 detector
BSD
BSE
COMPO
EHT
FESEM
GIS
ODF
SE
STEM
TOPO
9. Richtlijnen en normen
Naamgeving:
Hiermee wordt verklaard dat de bovengenoemde component voldoet aan alle relevante bepalin-
gen van de
•
Richtlijn 2006/42/EG: Machinerichtlijn
•
Richtlijn 2004/108/EG: Elektromagnetische verdraagzaamheid
Toegepaste geharmoniseerde normen:
•
Norm EN 60204-1:2010: Veiligheid van machines - Elektrische apparatuur van machines -
Deel 1: Algemene vereisten
•
Norm EN 61000-6-4:2007: EMC - Geleidende en uitgestraalde emissies (Klase A bij Uitge-
straalde emissies)
•
Norm EN 61000-6-2:2005: EMC - immuniteit
•
Norm EN 61010-1:2010: Veiligheidsvereisten voor elektrische apparatuur voor meting, rege-
ling en laboratoriumgebruik.
•
Norm EN ISO 12100:2010: Veiligheid van machines – Algemene beginselen voor het ontwerp
– Risicobeoordeling en risicobeperking
QO=î~å=QQ
Vijfsegments backscattered electron detector
Backscattered electron detector (teruggekaatste elektronendetector)
Backscattered electron (verstrooide elektron)
Detecteert compositioneel materiaalcontrast
Detectie van contrast tussen gebieden met verschillende chemische
composities
Extra high tension (extra-hoogspanning)
Field emission scanning electron microscope (Veldemissie scanning
elektronenmicroscoop)
Gasinjectiesysteem
Orientated Dark Field (geörienteerd dark field)
Secundaire elektron
Scanning transmission electron mircroscopy
Topografisch contrast
Detecteert veranderingen van de hoek van het monsteroppervlak.
BSD4 detector
dÉÄêìáâÉêëÜ~åÇäÉáÇáåÖ=îççê=çéÉê~íçê=_paQ=ÇÉíÉÅíçê=åäMN
Inhoudsopgave
